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招聘 纳米尺度MOS器件研发工程师（中、高级） 工作职位列表
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纳米尺度MOS器件研发工程师（中、高级）

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工作地点
　上海
发布日期
　2008-05-13
工作年限
 3年经验
薪水范围
 面议
学历要求
本科 　
职位描述
职位类别： 电子/半导体/仪表仪器 工作地点： 上海 发布日期： 2008-04-11 工作经验： 3-5年 最低学历： 本科 管理经验： 否 工作性质： 全职 招聘人数： 若干 职位描述/要求： 岗位职责： 从事纳米尺度 MOS 器件结构设计、工艺设计、建模和模拟等 职位要求： 1 、电子学 / 工程或物理学本科以上学历； 2 、有扎实的半导体器件物理与工艺基础， 3 、熟悉器件和工艺模拟器（工具）、版图设计工具等； 4 、本科学位人员应拥有 5 年以上直接从事半导体或集成电路研发或生产经验； 5 、硕士学位人员应拥有 2 年以上直接从事半导体或集成电路研发或生产经验。 联系方式： .
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